9 月 21 日，第七届粤港澳大湾区杰出青年企业家颁奖典礼在香港会议展览中心隆重举行。禹创半导体（深圳）有限公司董事长陈廷仰凭借在集成电路领域持续的技术突破与产业化创新成果，荣获“粤港澳大湾区杰出青年企业家・最佳科技创新奖”。 本届评选由粤港澳大湾区企业家联盟主办，面向粤港澳三地青年企业家开放申报，收到千余名企业家报名。评审团由粤港澳三地高校及权威媒体专家组成，经过多轮资质审核、技术考评与综合评议，最终选出95位获奖青年企业家，覆盖科创、先进制造、文创、大健康等多个产业赛道。香港特区行政长官李家超、广东省副省长张国智、澳门特区政府经济财政司司长吴惠娴通过视频致辞，寄语青年企业家紧抓大湾区发展机遇，投身科技创新产业，在融入国家发展大局中实现个人价值。粤港澳大湾区企业家联盟主席蔡冠深、香港特区政府商务及经济发展局局长丘应桦等嘉宾出席本次盛典。 陈廷仰作为禹创半导体创始人、董事长，长期扎根深圳，深耕模拟与功率集成电路领域，带领团队专注于显示驱动芯片、电源管理芯片的自主研发与国产化落地，同时前瞻布局CPO（共封装光学）技术研发，面向AI算力中心打造下一代光电集成关键平台。产品广泛应用于消费电子、新能源等领域。 在他的带领下，禹创半导体持续加大研发投入，不断完善知识产权体系，参与国家标准编制，持续推进产学研协同创新，与南方科技大学电子与电气工程系共建联合实验室，助力国内半导体产业链补短板、强链升级。 陈廷仰董事长表示，这份荣誉是组委会对禹创半导体技术创新成果的认可，也是对湾区半导体青年创业者的鼓励。粤港澳大湾区拥有完善的电子信息产业链、丰富的人才资源，是硬科技企业创新发展的沃土。未来，禹创半导体将继续立足深圳、扎根湾区，持续深耕芯片核心技术攻关，坚持自主创新，积极联动粤港澳三地科技创新资源，持续推进CPO等前沿技术研发落地，以芯片技术赋能新质生产力发展，为大湾区集成电路产业高质量发展贡献青年科创力量。
近日，深圳卫视《深视新闻》播出专题报道：今年前 8 月，深圳自动数据处理设备及零部件出口同比增长 26.03%。亮眼的外贸数据，折射出深圳外贸结构持续优化，电子信息产业的科技含量与全球竞争力稳步提升。禹创半导体作为深圳集成电路设计代表企业接受本次采访。 自动数据处理设备涵盖计算机、服务器等终端产品，其出口增长离不开核心芯片的底层支撑。从显示驱动芯片、电源管理芯片，到面向 AI 数据中心的高速互连芯片，半导体是整机设备的 “心脏” 与 “大脑”，也是推动出口产品向高端化、智能化升级的关键。 采访中禹创半导体表示，深圳拥有国内完备的电子信息产业集群，叠加强劲的外贸出口优势，为本土半导体设计企业提供了广阔市场沃土。 前 8 月自动数据处理设备及零部件出口的高速增长，一方面体现全球市场对高性能计算、智能终端的旺盛需求；另一方面也持续拉动上游芯片设计行业的订单增长与技术迭代，为国产芯片企业带来发展机遇。 禹创半导体企业概况 扎根深圳前海，禹创半导体是国家高新技术企业、专精特新 “小巨人” 企业，专注显示驱动芯片与电源管理芯片研发设计。公司核心团队源自国际顶级半导体企业，平板显示驱动芯片国内市占率已连续三年位居第二，同时前瞻布局 AI 数据中心高速互连赛道。产品覆盖工业、汽车、消费电子、智能家居等多元场景，累计芯片出货量突破亿颗。 本次深圳机电外贸的亮眼成绩，进一步坚定了禹创半导体立足深圳、面向全球的发展信心。 下一步，禹创半导体将持续加码研发投入，坚持硬科技自主创新，深度配合深圳电子信息产业集群发展需求，持续打磨国产化芯片方案，为深圳外贸高质量发展、半导体产业链自主可控贡献 “芯” 力量。 视频来源：深视新闻
9月10日，第八届硬核芯生态大会暨颁奖盛典在深圳国际会展中心14号馆举办。大会现场，禹创半导体（深圳）有限公司凭借在芯片产品研发、市场落地及国产化替代领域的亮眼实践，在2026年度硬核芯评选中脱颖而出，正式获颁“2026年度硬核国产替代标杆奖”。 该奖项由芯师爷发起，经数十万工程师线上投票与百位行业专家综合评审产生，是国内半导体行业颇具分量的产业荣誉。本届大会围绕端侧AI芯片、算力创新、汽车芯片等热点议题设置多场主题论坛，汇聚产业链企业、技术专家、产业投资人，共同研判半导体产业机遇与挑战。硬核芯评选作为大会核心环节，面向国内集成电路企业，表彰在技术创新、国产替代、产品商业化取得突出成绩的企业。 此次荣获“硬核国产替代标杆奖”，是行业工程师群体与专家评委对禹创半导体长期技术投入与产业实践的双重认可。自创立以来，禹创半导体立足本土市场需求，坚持核心技术自主研发，聚焦芯片产品的性能打磨与可靠性验证，持续解决产业链实际应用痛点，稳步推进关键产品国产化落地，为产业链自主可控贡献企业力量。 面对半导体产业快速迭代的市场环境，禹创半导体持续深耕技术，以市场需求为导向打磨产品，打通技术研发到实际落地的链路，不断拓展国产芯片的应用边界。此次获奖，印证了公司在国产替代赛道的扎实积累。 禹创半导体负责人表示：“这份荣誉属于团队，也是行业给予我们的鞭策。国产芯片发展道阻且长，行则将至。未来禹创半导体将持续加大研发投入，打磨高性能芯片产品，深化上下游产业协同，继续践行国产替代使命，和产业伙伴一道，共同推动中国半导体产业高质量发展。
禹创半导体再推锂电 BMS 保护新品 ——ERB2350/1 系列 2-5 串锂电池二级保护芯片。继 9 月 4 日推出 ERB2140C/D 系列 3 4 串锂电一级保护芯片之后，禹创半导体进一步完善锂电安全保护产品矩阵。ERB2350/1 作为 BMS 一级保护之外独立的硬件二级安全防线，有效解决多串锂电池过充、采样断线等安全隐患，面向电动工具、笔记本配套电池、UPS 备用电源、轻型电动车等市场，提供高可靠硬件安规保护方案。 随着锂电设备能量密度持续提升，仅依靠主保护芯片，依然存在器件失效引发过充起火的风险，硬件二级保护已经成为高可靠性锂电系统的重要一环。ERB2350/1 作为独立二级保护器件，当主保护发生失效时，可快速切断充电回路，筑牢电池安全的第二道防火墙。单颗芯片原生支持 2-5 串锂电应用，两颗芯片级联搭配简单三极管电平转换电路，最高可拓展至 20串高压电池包，兼顾方案灵活性与 BOM 成本优势。 核心产品优势 高精度过充检测 芯片常温过充检测精度高达 ±25mV，全温区精度可达 ±40mV；过充电压阈值覆盖 3.7V 4.6V，适配三元锂、锂聚合物等多种电芯。产品支持 1s、2s、4s、6s 多档保护延时配置，内置 20ms 噪声重置滤波机制；当出现瞬时电压扰动时，系统会自动重置保护计时，在保障保护响应速度的同时，有效规避电压突波带来的误触发问题，提升系统抗干扰能力。 4μA 超低静态功耗 芯片典型静态电流仅 4μA，最大 7μA。对比市面传统二次保护方案，功耗可降低 60% 80%，大幅减少电池包仓储、运输阶段自身耗电，避免保护芯片静态功耗放空电芯，充分保障电池存储容量，延长产品存放寿命，改善终端产品货架期表现。 全引脚断线检测 内置 OWP 断线检测功能，实时监控每一路电芯采样线路状态。一旦电芯采样线出现断线异常，芯片将立刻关断充电回路，消除断线带来的过充安全隐患，提升电池包全生命周期运行可靠性。 灵活拓扑与级联拓展 单芯片可通过引脚短接配置，灵活实现 2S/3S/4S/5S 多串应用；两颗芯片级联即可实现 6 - 10 串高压电池模组方案。无需选用高成本高串数专用保护 IC，减少物料 SKU，简化客户库存管理，平衡产品性能与整体成本。 芯片支持 N/P 型 MOS 驱动，可驱动高低边 MOS 管或者熔断保险丝实现充电主回路切断；同时内置产线极速测试模式，有效缩短量产产线测试时序，提升生产测试效率。 优异硬件可靠性 芯片最高耐压 36V，具备优秀的抗浪涌能力；提供 MSOP 8L、DFN3×4 8L 多种封装选型；同时支持 Active High / Active Low 及开漏输出逻辑，可根据客户系统需求做参数定制。工业级工作温度覆盖-40℃~+85℃，适配各类严苛工业工作环境。 产品交付与技术支持 ERB2350/1 现已推出多款标准料号，覆盖不同过充阈值、延时时间、输出逻辑；同时支持电压阈值、延时、输出逻辑等维度定制化服务。 随着锂电安规要求不断提高，硬件二级兜底保护越来越成为电池设计的重要选型。至此，禹创半导体已经同时拥有 ERB2140C/D 一级保护芯片、ERB2350/1 二级保护芯片完整产品方案，客户既可以单独选用一级保护，也可采用 “一级 + 二级” 双保险架构，进一步提升电池系统安全等级。禹创半导体提供完整应用参考电路，专业 FAE 团队可为客户提供方案评估、硬件调试、量产导入的全流程技术支持。如需样品、规格书欢迎联系我们。
禹创半导体正式推出 ERB2140C/D 系列高度集成 3~4 串锂离子 / 锂聚合物电池保护芯片，面向无线吸尘器、智能扫地机器人、洗地机、电动自行车、便携储能电源及基站备用电池组等多元应用场景。该系列芯片集成高精度电压检测、独立充放电温控、分时均衡技术与超低休眠功耗等核心能力，为锂电 BMS 方案提供高性价比国产选择。 当前无线吸尘器、洗地机、电动自行车、便携储能设备快速普及，电池包设计普遍面临两大痛点：一是出厂运输及长期仓储过程中自耗电过高导致电芯亏电甚至永久损坏；二是高低温环境适应性不足，影响极端工况下的可靠性。 一款芯片，覆盖两大锂电体系 ERB2140C/D 系列针对上述痛点定向优化。C 型适配三元锂 / 锂聚合物，D 型适配磷酸铁锂 / 锂聚合物，一款产品覆盖两大主流锂电体系，显著缩短客户开发周期。 四大核心技术优势 高精度双体系电压检测 常温过充检测精度达 ±25mV，过放检测精度达 ±30mV，精准监控每节电芯电压，有效规避过充析锂与过放不可逆损伤。 独立充放电温控调节 充放电温 度阈值通过外部 NTC 及电阻独立配置，充电过温 / 低温、放电过温 / 低温两套参数互不干扰，灵活适配严寒、高温等各类工况。 SEL 引脚灵活切换串数 简单配置即可完成 3 串 / 4 串切换，并可直驱外置 N 型充电与放电 MOSFET，无需额外驱动电路，大幅降低 BOM 成本。 超低休眠功耗 常温正常工作电流 15µA，电芯进入过放状态后自动切换至 5µA 超低休眠模式，有效解决仓储运输阶段自耗电过大导致的电芯亏电损坏难题，延长终端产品货架期。 智能交替分时均衡技术 在四大核心优势之上，ERB2140C/D 还搭载了创新的分时均衡技术。 芯片采用 24ms 周期对 1、3 通道与 2、4 通道进行分时切换均衡，从根本上规避相邻通道 MOSFET 误导通风险。 内置 MOS 均衡支持 500Ω~2kΩ，也可外接三极管实现大电流主动式均衡。 内置 8 秒周期电芯断线检测，采样线路异常即刻关断充放电回路。 全方位充放电安全防护 放电端 过放电保护：精确监控单节电芯，低压即刻关断 DO。 三级过流保护：放电过流 1、放电过流 2 及短路快速响应。 负载锁定：过流或过温后锁定放电，移除负载自动恢复。 充电端 过充保护延时具备重置功能，抗瞬态干扰。 充电过流保护：检测充电回路异常电流并及时切断。 部分型号支持 0V 激活充电，可唤醒完全自放电的电池。 硬件封装与技术支持 芯片采用 SSOP-16L 紧凑封装，支持 -40℃ ~ +85℃ 工业级温度范围，ESD 防护等级达 HBM 4KV / CDM 1KV。禹创半导体可提供 3 串 / 4 串同口、异口参考设计与外部扩流均衡方案，并配备专业 FAE 团队支持电路调试、参数定制及量产导入。 如需样品、规格书或参考设计，欢迎联系我们。 下期预告：ER2350/1系列二级保护芯片即将发布
半年前，当CPO尚处于规模化量产前夜，我们做了一件事——宣布全面进军CPO。 半年后，英伟达Spectrum-X CPO交换机已向合作伙伴出货，博通51.2T Bailly CPO交换机持续小量量产。CPO从概念验证正式迈入商业化量产阶段。 回望那个决定，并非一时冲动。这不仅是顺应AI算力基础设施代际更迭的战略选择，更是将我们在显示驱动与电源管理领域的深厚积累，转化为下一代光电集成核心竞争力的关键一跃。 作为一家以显示驱动和电源管理起家的企业，我们进军CPO绝非盲目跨界，而是基于底层技术的同源性： 电源管理的核心卡位： CPO模块将光引擎与交换芯片高密度集成，对局部供电的稳定性、瞬态响应及能效提出了严苛要求。我们在电源管理芯片（PMIC）领域的深厚积累，正在转化为CPO光引擎所需的高密度供电模组与激光器驱动芯片（LDD），为光引擎提供高精度、低噪声的定制化供电方案。 精密驱动的协同效应：我们在显示驱动领域积累的精密信号控制与封装工艺，与CPO光引擎中对激光器、调制器的精密驱动需求高度契合。这一能力正延伸至光接收端的跨阻放大器（TIA）和光调制器驱动芯片等关键环节，覆盖光信号的发射与接收全链路。 拥抱下一代技术演进：除了主流的硅光路线，我们也在积极评估Micro LED光通信等新兴技术路径。这些新技术对驱动和电源提出了全新要求，恰恰是我们发挥显示驱动与电源管理双重基因优势的绝佳战场。 2026年是CPO的量产元年，也是我们在光电融合赛道上的起跑之年。依托Micro LED器件驱动、光电校准、巨量转移缺陷补偿等核心技术积累，我们正将显示驱动与电源管理的双重基因优势，延伸至面向AI数据中心的Micro LED高速光互连领域。 目前，公司已累计获得70余项专利，芯片总出货超2亿颗，服务全球客户超100家。这些数字背后，是我们在显示驱动与电源管理领域从研发到量产、从验证到交付的完整能力闭环。正是这份能力，支撑我们敢于在CPO尚处规模化量产前夜时，做出全面进军CPO的战略决策。 面向未来，我们将继续秉持 “可验证、可量产、可交付” 的核心原则，将电源与驱动的“老本行”持续深耕打磨，持续加码研发投入，联动产业链上下游伙伴，共同构建繁荣健康的半导体生态系统，为CPO生态贡献独特价值。 从屏幕到光引擎，从Micro LED到CPO——光电融合的星辰大海，我们已在船上。 媒体联系： 公关部门联系电话：0755-26671807 sales邮箱：sales@erised-semi.com 官网链接：https:/www.erised-semi.com
锁定800G／1.6T升级浪潮，以「可验证、可量产、可交付」加速AI算力中心光互连落地。 禹创半导体今日宣布：将以现有Micro LED 技术平台与量产导入经验为基础，正式跨入CPO（Co-Packaged Optics，共同封装光学）领域，打造面向AI算力中心、数据中心与高速交换架构的下一代光电整合关键平台，协助产业解决全球AI基础设施竞争中最关键的系统瓶颈之一——在功耗与散热压力持续升高的情况下，仍能实现海量数据的高效率传输与可扩展互连。 图1：架构示意图 三大亮点：定义下一代互联标准 对准800G／1.6T升级窗口：响应AI数据中心带宽倍增与互连能耗压力，光互连成为下一代平台刚需。 Micro LED可量产系统工程能力可直接迁移：高密度I/O、封装整合、热管理、制程窗口、可靠度验证与测试体系，匹配 CPO 核心挑战。 国际深度共研合作加速产品化：co-spec／co-validation／co-design 与供应链长期 alignment，建立更高进入门槛与交付确定性。 产业背景：铜缆电互连到极限 随着「算力即国力」与主权AI成为国家级战略重点，全球正加速投入AI计算基础设施建设，网络带宽需求几乎以倍数速度成长，从400G快速迈向800G、1.6T乃至更高。传统缆电互连在带宽密度、传输距离、功耗与散热方面存在不可逾越的物理限制，已成为系统扩展性与能效提升的核心瓶颈；在高端GPU单芯片功耗持续攀升的趋势下，互连能耗与热负载问题更加突出，光互连不再是选项，而是基础设施。 图2：AI 算力中心组网架构（来源：《光学学报》, 2025, Fig.10） 架构趋势：硅光子 + CPO 成为必然演进路线 产业普遍认为硅光子（Silicon Photonics）与CPO是下一代架构演进方向。透过将光引擎更靠近甚至直接与计算／交换芯片整合，CPO可显著降低互连功耗损失、热负载与系统复杂度，提升带宽密度与整体能效。 禹创策略：以「可量产系统工程」切入 CPO，缩短导入周期、提升交付确定性 在Micro LED领域长期累积的能力，核心不仅是芯片设计，更涵盖 高密度 I/O、封装整合、热管理、制程窗口控制、可靠度验证与测试体系建置等「可量产系统工程」。上述能力与 CPO 的关键挑战高度重迭，使禹创得以把既有方法论迁移到高速光互连架构，缩短从工程样品到商用导入的周期，并提升交付确定性。 禹创半导体表示：「我们以『可验证、可量产、可交付』为CPO布局的核心原则，透过系统级整合与全球伙伴协同，加速下一代高速光电整合平台的产品化与落地部署，建立长期竞争力。」 系统级平台布局：电子IC、光子IC、3D封装、CPO架构与热管理全覆盖 在技术路线上，禹创半导体采取系统级硅光子布局，全面覆盖电子IC、光子 IC、先进3D封装、CPO架构及热管理技术，以高度整合的平台方式提供可持续扩展的技术路线：既能支持当前多 Terabit数据传输需求，也可演进至未来每秒百Terabit以上的规模，对应AI基础设施长周期、深层次的结构性变革。 图3：EIC、PIC 及 3D 封装的系统级平台布局（来源：ASE官方博客） 生态合作：co-spec／co-validation／co-design，供应链 long-term alignment 在生态合作层面，CPO不是单打独斗的游戏，通过与国外伙伴的共同定义规格（co-spec）、协同验证（co-validation）、共同迭代设计（co-design / co-optimization）及供应链节点的长期配合（long-term alignment）。此合作模式将有助于在关键料件、制程能力与验证体系上形成更高的进入门槛，并加速产品化与商用落地。 延伸场景：从超大型算力中心到边缘AI 除超大规模数据中心外，该技术体系亦正快速渗透至边缘AI场景，包括智能医疗、机器人、自动化系统与智能物联网等，同样对能效、带宽密度与系统集成提出更高要求。从超大型算力中心的“主动脉”，到边缘AI应用的“毛细血管”，数据的流动效率决定了智能的进化速度。禹创半导体，正致力于成为下一代AI基础设施中，那个不可或缺的“连结者”。 关于禹创半导体 禹创半导体长期深耕Micro LED与先进封装量产导入，具备高密度I/O、系统整合、热管理、可靠度验证与测试体系建置等系统工程能力；并以此为基础跨入CPO与硅光子高速互连领域，打造面向AI算力中心的新一代光电整合平台。 媒体联系： 公关部门联系电话：0755-26671807 sales邮箱：sales@erised-semi.com 官网链接：https:/www.erised-semi.com
2026年6月24日，禹创半导体（深圳）有限公司《AMOLED显示驱动芯片关键技术的研究与应用》完成工业和信息化部科技成果登记，登记证号：3392026Y0668，成果登记单位为中国信息通信研究院。 同日，禹创半导体与南方科技大学电子与电气工程系联合实验室在深圳揭牌，产学研协同创新再落一子。两项里程碑同日落地，标志着这家扎根深圳前海的半导体企业，在AMOLED显示驱动芯片领域的技术实力获得国家级权威认可。 七年深耕，从追赶到并跑 禹创半导体成立于2018年8月，总部位于深圳市前海深港合作区，是国家高新技术企业。公司主营显示驱动芯片、电源管理芯片及马达驱动芯片的研发与销售，核心团队来自国际头部半导体企业，拥有数十项国内专利。 在显示驱动领域，禹创已实现完整国产产品线布局，面板合作伙伴涵盖京东方、信利等行业龙头，终端产品供应TCL、亚马逊等海内外知名品牌。从TFT-LCD到AMOLED乃至Micro LED，禹创的产品矩阵覆盖了显示技术的全谱系。 此次获得科技成果登记的《AMOLED显示驱动芯片关键技术》，是禹创在该领域多年研发投入的集中体现。2021年3月针对可穿戴设备应用的AMOLED驱动芯片ER76288已规模量产。2024年3月，禹创推出新一代手机用AMOLED驱动芯片 ER66638，采用自研显示相关算法，包括Demura、IRC、CTC等核心技术，有效提升了显示质量与良率，同时降低了功耗和成本。该款IC在SRAM使用上可灵活切换功能，是业界支持command mode的产品中尺寸最小的方案，能够与不同AP和面板厂商实现无缝整合。2025年10月，又推出ER75138-一款针对手环、电子烟适用的AMOLED驱动芯片，再度推进该领域的国产化进程。 国产替代的关键拼图 AMOLED显示技术以其超薄、高亮度、低功耗、高对比度等优势，已成为手机、平板、智能手表等移动设备的主流显示方案。全球手机销售中使用AMOLED的比例已过半，预计到2026年将超过60%。中国大陆AMOLED显示驱动芯片销量从2020年的1.80亿颗增长至2024年的4.78亿颗，复合年增长率高达27.6%，全球占比从24.9%提升至37.0%。然而，这一快速增长的市场中，AMOLED驱动IC长期由三星、联咏等海外供应商主导，返修及整新机市场的支持力度严重不足。 禹创的AMOLED驱动芯片正是为填补这一市场空白而生。截至目前，在“0.74～6.9”的显示屏上通过多家龙头面板厂商验证，并已量产出货。 此次通过工信部科技成果登记，意味着该技术的先进性、成熟度和应用价值获得了国家层面的正式确认。科技成果登记不仅是国家科技成果管理和推荐科技奖励的重要佐证，也有利于获得投资方和合作方的认可，是成果价值的重要评判依据。 产学研贯通，布局下一代显示技术 与科技成果登记同日，禹创半导体与南方科技大学电子与电气工程系联合实验室正式揭牌。双方将依托禹创的生产平台与南科大的科研力量，将联合实验室建成集科研平台建设、产业技术研发与集成、人才培养、应用示范、成果转化于一体的创新平台。 禹创董事长 陈廷仰 在揭牌仪式上表示，国内半导体产业正站在从技术引进迈向自主创新的关键转折点上，产业升级的需求与高校科研力量的深度耦合，将是未来突破核心技术瓶颈的重要路径。南方科技大学工学院院长陈明伟教授则指出，半导体产业正经历由AI驱动的超周期扩张，涉及芯片、存储、光电到AI自动化的全产业链，这种技术红利期为企业与高校合作提供了战略窗口。 从AMOLED驱动芯片的关键技术突破，到工信部科技成果登记，再到与南科大共建联合实验室——禹创半导体正在完成从“技术攻关”到“成果认定”再到“产学研贯通”的完整路径。 结语 自2018年成立至今，禹创从一家初创企业成长为年出货量突破千万颗、营收过亿的行业新锐。从LCD到AMOLED，从消费电子到智能穿戴再面向新AI应用赛道，禹创用七年时间跨越了许多企业十年才能走完的路。 这张科技成果登记证书，是一份认可，更是一个起点。正如禹创董事长陈廷仰所言，半导体是一个需要不停累积技术、持续投入研发的行业。在AMOLED显示驱动芯片国产替代的浪潮中，禹创已经锚定了自己的位置——不是追赶者，而是并跑者；不是替代者，而是定义者。 2026年初，禹创正式宣布进军CPO（共同封装光学）领域，以现有Micro LED技术平台与量产导入经验为基础，打造面向AI算力中心、数据中心与高速交换架构的下一代光电整合关键平台。在技术路线上，公司采取系统级硅光子布局，全面覆盖电子IC、光子IC、先进3D封装、CPO架构及热管理技术，以“可验证、可量产、可交付”为原则，对准800G/1.6T升级浪潮，加速AI算力中心光互连落地。从显示驱动到光互联，从消费电子到AI基础设施，禹创正在完成一次跨越周期的战略跃迁。
“当玻璃基板遇上光引擎，当精密电源管理赋能硅光芯片——2026年，我们正式宣布进军CPO，这不仅是业务版图的扩张，更是一场基于底层技术同源性的战略奔赴。” 历史性拐点：CPO从概念走向量产 2026年7月，光通信产业迎来了期待已久的“发令枪”。英伟达新一代Spectrum-X CPO交换机开始向部分合作伙伴出货，博通51.2T Bailly CPO交换机持续小量量产——共同封装光学（Co-Packaged Optics，CPO）技术正式从实验室验证迈入商业化量产阶段。这不仅是技术路线的胜利，更意味着一个全新产业周期的开启。 什么是CPO？为何成为行业焦点？ CPO的本质，是把光模块（光引擎）从交换机的外表面“搬进”交换机的心脏，与ASIC交换芯片封装在一起。光引擎、光芯片与交换ASIC封装在同一基板上，光电互连距离小于1厘米，信号损耗达到行业最优水平。 相比传统可插拔光模块，CPO的优势极为突出。传统方案中，电信号需经电路板长距离传输，当速率突破1.6Tbps时已逼近物理极限。而CPO将电信号传输距离从厘米级缩短至毫米级，大幅降低功耗与延迟。以博通51.2T Bailly CPO交换机为例，相较传统可插拔光模块功耗降低约70%。 光电共封装（CPO）技术原理图（图片来源：新浪财经） 两大旗舰落地，量产时代开启 当前CPO产业的两大标志性产品均已进入量产阶段： 英伟达Spectrum-X CPO交换机由英伟达与台积电合作开发，采用COUPE先进封装制程，整机交换容量达400Tb/s，预计2026年下半年产能将进一步扩大。 博通51.2T Bailly CPO交换机由台达电子、Micas Networks协助导入量产，Meta等超大规模云厂商已完成部署验证，在实际数据中心环境中的可行性得到初步确认。 两大旗舰产品相继落地，标志着CPO从技术验证阶段正式向规模商业化迈进。 NVIDIA Spectrum-XCPO Switch图片来源：壹苹新闻网 市场前景：百亿级蓝海加速开启 多家权威机构对CPO市场给出了极为乐观的预测： Yole Group于2026年7月发布《数据中心共封装光学2026》报告指出，CPO已从概念走向商业现实，发展速度和规模远超2023年的预期。全球CPO光学引擎收入在2026至2031年间将以约228%的年复合增长率增长，到2031年市场规模将达1120亿美元。 LightCounting预计，AI驱动下光收发器和CPO市场2025年达165亿美元，2026年将激增至260亿美元，年增长率高达60%。 TrendForce预测，CPO渗透率将从2026年约0.55%增至2028年约8%，对应市场规模约33亿美元。另有数据显示，2026年全球CPO市场将达20亿美元，同比增长超400%；中国市场突破100亿元，增速超500%。 高盛在最新研报中上调全球光模块市场规模预测，预计2026年将达到509亿美元、2027年攀升至726亿美元。 Yole报 告特别指出，Scale Up是CPO的“杀手级应用” ——铜互连在带宽翻倍趋势下已达物理极限，CPO成为实现更大GPU规模的唯一可行路径。Scale Up交换机光学引擎和计算光学引擎合计约占市场的94%，是最大的收入来源。 图片来源：Yole Group，《数据中心共封装光学2026》 三大瓶颈：量产只是开始 量产开启并不意味着供给瓶颈消除。TrendForce集邦咨询指出，CPO交换机供应链面临三项核心制约： 第一，光引擎环节。 光引擎需整合激光器、调制器等多类组件，制程复杂且对良率要求极高，叠加热管理难题，目前仅有少数供应商具备量产能力。 第二，硅光子产能建设周期较长。 硅光子晶圆代工及后段封装对精度与可靠度要求严苛，产能建设无法在短期内快速响应需求增长。 第三，先进封装产能竞争加剧。 CPO交换机对COUPE等先进封装制程的依赖程度大幅提升，但AI芯片及HPC应用同样在争夺同类封装产能。 光引擎良率、硅光子代工产能、先进封装资源争抢，已成为制约CPO后续规模化放量的三大核心瓶颈。 垂直整合成行业新常态 面对供应链压力，领先厂商的应对路径呈现明显分化。部分云端巨头选择通过长期采购协议锁定供给，并战略性投资上游硅光子厂商；英伟达选择与掌握先进封装产能的台积电深化合作，推进垂直整合布局；谷歌等厂商则加速自研光学组件。 TrendForce预期，垂直整合将成为行业新常态。能够自主掌握硅光子设计、光引擎制造与先进封装资源的厂商，将在2027至2028年CPO交换机市场放量周期中取得领先优势。 跨界融合：显示与电源管理的新机遇 值得关注的是，CPO的产业化浪潮正吸引越来越多跨界玩家的入局。 显示领域，全球玻璃基板龙头康宁（Corning）已于2026年6月发布“玻璃桥”（Glass Bridge）光连接器及玻璃基板与光互连融合的新一代CPO架构，采用TGV技术在玻璃载板上制作光学波导，再倒装集成光子芯片，将玻璃基板从封装载板升级为光互连载板。此外，AGC等玻璃基板巨头也在积极布局半导体封装玻璃基板领域，为CPO的玻璃载板路线储备技术能力。 电源管理领域，国际模拟芯片巨头德州仪器（TI）积极布局AI数据中心电源管理方案，2026年已推出基于800V直流配电的数据中心电源架构；ADI的Silent Switcher®低噪声电源技术已在通信基础设施领域广泛应用，具备为高密度光互连场景提供精密供电方案的技术能力。 这些跨界布局表明，CPO产业链的价值正从传统光模块向上游的硅光芯片、先进封装以及核心电芯片（驱动芯片、电源管理芯片等）加速迁移。 展望： 从800G到1.6T，从传统可插拔到CPO共封装，光互连的变革不只是技术的迭代，更是整条半导体供应链的重构。 在这场百亿级的蓝海征程中，光引擎良率、硅光代工与先进封装是挑战，更是机遇。禹创半导体已全面进军CPO赛道，我们不只做技术的旁观者，更要做破局的实践者。欢迎产业界的前辈与伙伴与我们联系，共探光互连新时代的无限可能！ 数据来源： OFweek光通讯网、TrendForce集邦咨询、Yole Group、讯石光通讯网、LightCounting、金融界、中国电子组件行业协会、芯智讯、充电头网及相关企业公开资料。 版权声明： 本文内容综合整理自公开市场信息及行业研究报告。配图版权归原作者/机构所有，仅用于行业分析与学习交流。 如涉及版权问题或数据引用争议，请权利人及时与我们联系，我们将在核实后第一时间删除或修正。
9 月 21 日，第七届粤港澳大湾区杰出青年企业家颁奖典礼在香港会议展览中心隆重举行。禹创半导体（深圳）有限公司董事长陈廷仰凭借在集成电路领域持续的技术突破与产业化创新成果，荣获“粤港澳大湾区杰出青年企业家・最佳科技创新奖”。 本届评选由粤港澳大湾区企业家联盟主办，面向粤港澳三地青年企业家开放申报，收到千余名企业家报名。评审团由粤港澳三地高校及权威媒体专家组成，经过多轮资质审核、技术考评与综合评议，最终选出95位获奖青年企业家，覆盖科创、先进制造、文创、大健康等多个产业赛道。香港特区行政长官李家超、广东省副省长张国智、澳门特区政府经济财政司司长吴惠娴通过视频致辞，寄语青年企业家紧抓大湾区发展机遇，投身科技创新产业，在融入国家发展大局中实现个人价值。粤港澳大湾区企业家联盟主席蔡冠深、香港特区政府商务及经济发展局局长丘应桦等嘉宾出席本次盛典。 陈廷仰作为禹创半导体创始人、董事长，长期扎根深圳，深耕模拟与功率集成电路领域，带领团队专注于显示驱动芯片、电源管理芯片的自主研发与国产化落地，同时前瞻布局CPO（共封装光学）技术研发，面向AI算力中心打造下一代光电集成关键平台。产品广泛应用于消费电子、新能源等领域。 在他的带领下，禹创半导体持续加大研发投入，不断完善知识产权体系，参与国家标准编制，持续推进产学研协同创新，与南方科技大学电子与电气工程系共建联合实验室，助力国内半导体产业链补短板、强链升级。 陈廷仰董事长表示，这份荣誉是组委会对禹创半导体技术创新成果的认可，也是对湾区半导体青年创业者的鼓励。粤港澳大湾区拥有完善的电子信息产业链、丰富的人才资源，是硬科技企业创新发展的沃土。未来，禹创半导体将继续立足深圳、扎根湾区，持续深耕芯片核心技术攻关，坚持自主创新，积极联动粤港澳三地科技创新资源，持续推进CPO等前沿技术研发落地，以芯片技术赋能新质生产力发展，为大湾区集成电路产业高质量发展贡献青年科创力量。
