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ERB2140AMSD-19 - 3~4 串锂离子电池或锂聚合物电池保护芯片

产品特色

ERB2140 是一款高度集成专为保护的3~ 4 串锂离子电 池或锂聚合物电池保护芯片。 ERB2140 为电池包提供过充、过放、 充放电过流、断线、充放电过温保护以及均衡功能。ERB2140可以直接驱动外部N型的充电MOSFET和N型放电MOSFET。低功耗的设计使到电池包在储存阶段只消耗很小电流。封装采用SSOP-16L。

规格

过充阈值(V)
4.250
过充回复(V)
4.150
过放阈值(V)
2.800
过放恢复(V)
3.400
过流1阈值(mV)
50
过流2阈值(mV)
100
短路阈值(mV)
200
充电过流阈值(mV)
-20
均衡开启电压(V)
4.125
向0V电池充电
封装
SSOP-16L
产品描述
应用

提供显示与电源全面性的解决方案

禹创半导体是一家集成电路设计的半导体技术公司, 拥有独立自主的知识产权, 专注于芯片研发、设计、制造、测试与销售, 提供客户可靠及全面性的解决方案。

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