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ERB2151BMSD-01 - 4~5串锂离子电池或锂聚合物电池保护芯片

产品特色

ERB2151是一款高度集成专为保护的4~5串锂离 子电池或锂聚合物电池保护芯片。ERB2151为电池包提供过充、过放、 放电过流、断线、充放电过温/低温保护以及均衡功能。ERB2151可以直接驱动外部P型的充电MOSFET和N型放电MOSFET,并却保留了DCTRL脚来控制DO脚的输出。 ERB2151的低功耗设计让电池包在存储阶段只消 耗微不足道的电流。 ERB2151采用SSOP16封装。

规格

过充阈值(V)
3.750
过充回复(V)
3.650
过放阈值(V)
2.100
过放恢复(V)
2.400
过流1阈值(mV)
100
过流2阈值(mV)
200
短路阈值(mV)
500
充电过流阈值(mV)
Pmos, 触发COC, CO off. PMOS on
均衡开启电压(V)
3.625
向0V电池充电
封装
SSOP-16L
产品描述
应用

提供显示与电源全面性的解决方案

禹创半导体是一家集成电路设计的半导体技术公司, 拥有独立自主的知识产权, 专注于芯片研发、设计、制造、测试与销售, 提供客户可靠及全面性的解决方案。

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