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ERB2170BMSH - 4~7 串锂离子电池或锂聚合物电池保护芯片

产品特色

ERB2170是一款高度集成专为保护的4~7串锂离子电池或锂聚合物电池保护芯片。ERB2170为电池包提供过充、过放、 充放电过流、断线、充放电过温保护以及均衡功能, 并支持芯片级联使用。ERB2170可以直接驱动外部N型的充电MOSFET和N 型放电MOSFET。ERB2170的低功耗设计让电池包在存储阶段只消 耗微不足道的电流。 ERB2170采用SSOP24封装。

规格

过充阈值(V)
3.650
过充回复(V)
3.550
过放阈值(V)
2.300
过放恢复(V)
2.700
过流1阈值(mV)
50
过流2阈值(mV)
100
短路阈值(mV)
200
充电过流阈值(mV)
-20
均衡开启电压(V)
3.525
向0V电池充电
封装
SSOP-24L
产品描述
应用
新品|禹创半导体 ERB2350/1 系列:2-5 串锂电二级保护芯片 新闻 丨 2026-09-09
禹创半导体再推锂电 BMS 保护新品 ——ERB2350/1 系列 2-5 串锂电池二级保护芯片。继 9 月 4 日推出 ERB2140C/D 系列 3 4 串锂电一级保护芯片之后,禹创半导体进一步完善锂电安全保护产品矩阵。ERB2350/1 作为 BMS 一级保护之外独立的硬件二级安全防线,有效解决多串锂电池过充、采样断线等安全隐患,面向电动工具、笔记本配套电池、UPS 备用电源、轻型电动车等市场,提供高可靠硬件安规保护方案。 随着锂电设备能量密度持续提升,仅依靠主保护芯片,依然存在器件失效引发过充起火的风险,硬件二级保护已经成为高可靠性锂电系统的重要一环。ERB2350/1 作为独立二级保护器件,当主保护发生失效时,可快速切断充电回路,筑牢电池安全的第二道防火墙。单颗芯片原生支持 2-5 串锂电应用,两颗芯片级联搭配简单三极管电平转换电路,最高可拓展至 20串高压电池包,兼顾方案灵活性与 BOM 成本优势。 核心产品优势 高精度过充检测  芯片常温过充检测精度高达 ±25mV,全温区精度可达 ±40mV;过充电压阈值覆盖 3.7V 4.6V,适配三元锂、锂聚合物等多种电芯。产品支持 1s、2s、4s、6s 多档保护延时配置,内置 20ms 噪声重置滤波机制;当出现瞬时电压扰动时,系统会自动重置保护计时,在保障保护响应速度的同时,有效规避电压突波带来的误触发问题,提升系统抗干扰能力。 4μA 超低静态功耗 芯片典型静态电流仅 4μA,最大 7μA。对比市面传统二次保护方案,功耗可降低 60% 80%,大幅减少电池包仓储、运输阶段自身耗电,避免保护芯片静态功耗放空电芯,充分保障电池存储容量,延长产品存放寿命,改善终端产品货架期表现。 全引脚断线检测  内置 OWP 断线检测功能,实时监控每一路电芯采样线路状态。一旦电芯采样线出现断线异常,芯片将立刻关断充电回路,消除断线带来的过充安全隐患,提升电池包全生命周期运行可靠性。 灵活拓扑与级联拓展 单芯片可通过引脚短接配置,灵活实现 2S/3S/4S/5S 多串应用;两颗芯片级联即可实现 6 - 10 串高压电池模组方案。无需选用高成本高串数专用保护 IC,减少物料 SKU,简化客户库存管理,平衡产品性能与整体成本。 芯片支持 N/P 型 MOS 驱动,可驱动高低边 MOS 管或者熔断保险丝实现充电主回路切断;同时内置产线极速测试模式,有效缩短量产产线测试时序,提升生产测试效率。 优异硬件可靠性  芯片最高耐压 36V,具备优秀的抗浪涌能力;提供 MSOP 8L、DFN3×4 8L 多种封装选型;同时支持 Active High / Active Low 及开漏输出逻辑,可根据客户系统需求做参数定制。工业级工作温度覆盖-40℃~+85℃,适配各类严苛工业工作环境。 产品交付与技术支持 ERB2350/1 现已推出多款标准料号,覆盖不同过充阈值、延时时间、输出逻辑;同时支持电压阈值、延时、输出逻辑等维度定制化服务。 随着锂电安规要求不断提高,硬件二级兜底保护越来越成为电池设计的重要选型。至此,禹创半导体已经同时拥有 ERB2140C/D 一级保护芯片、ERB2350/1 二级保护芯片完整产品方案,客户既可以单独选用一级保护,也可采用 “一级 + 二级” 双保险架构,进一步提升电池系统安全等级。禹创半导体提供完整应用参考电路,专业 FAE 团队可为客户提供方案评估、硬件调试、量产导入的全流程技术支持。如需样品、规格书欢迎联系我们。  

提供显示与电源全面性的解决方案

禹创半导体是一家集成电路设计的半导体技术公司, 拥有独立自主的知识产权, 专注于芯片研发、设计、制造、测试与销售, 提供客户可靠及全面性的解决方案。

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