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ERS1009A - 5.5V, 600mA低压差线性稳压器，有使能脚，输出电压可调整
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产品特色

ERS1009A系列是宽输入电压（1.2V~5.5V），低压差，低功耗及小封装的线性稳压器。最大输出电流是600mA，静态电流低至2uA，特别适合应用在使用电池供电，需要长时间待机的电器产品。IC的使能脚可以进一步减低产品的待机功耗。关闭模式下的功耗低至100nA。ERS1009A的封装有SOT23-3L, SOT23-5L, DFN1*1-4和DFN2*2-6。

规格

最小输入电压 (V)
1.2
最大输入电压 (V)
5.5
输出电流 (mA)
600
最小输出电压 (V)
1.2
最大输出电压 (V)
3.3
静态电流 (µA)
2
电源抑制比 @1kHz(dB)
75
精度 (±%)
2
封装
SOT23-3, SOT23-5, DFN1*1-4, DFN2*2-6
产品描述
应用
新品｜禹创半导体 ERB2350/1 系列：2-5 串锂电二级保护芯片 新闻 丨 2026-09-09 丨
禹创半导体再推锂电 BMS 保护新品 ——ERB2350/1 系列 2-5 串锂电池二级保护芯片。继 9 月 4 日推出 ERB2140C/D 系列 3 4 串锂电一级保护芯片之后，禹创半导体进一步完善锂电安全保护产品矩阵。ERB2350/1 作为 BMS 一级保护之外独立的硬件二级安全防线，有效解决多串锂电池过充、采样断线等安全隐患，面向电动工具、笔记本配套电池、UPS 备用电源、轻型电动车等市场，提供高可靠硬件安规保护方案。 随着锂电设备能量密度持续提升，仅依靠主保护芯片，依然存在器件失效引发过充起火的风险，硬件二级保护已经成为高可靠性锂电系统的重要一环。ERB2350/1 作为独立二级保护器件，当主保护发生失效时，可快速切断充电回路，筑牢电池安全的第二道防火墙。单颗芯片原生支持 2-5 串锂电应用，两颗芯片级联搭配简单三极管电平转换电路，最高可拓展至 20串高压电池包，兼顾方案灵活性与 BOM 成本优势。 核心产品优势 高精度过充检测  芯片常温过充检测精度高达 ±25mV，全温区精度可达 ±40mV；过充电压阈值覆盖 3.7V 4.6V，适配三元锂、锂聚合物等多种电芯。产品支持 1s、2s、4s、6s 多档保护延时配置，内置 20ms 噪声重置滤波机制；当出现瞬时电压扰动时，系统会自动重置保护计时，在保障保护响应速度的同时，有效规避电压突波带来的误触发问题，提升系统抗干扰能力。 4μA 超低静态功耗 芯片典型静态电流仅 4μA，最大 7μA。对比市面传统二次保护方案，功耗可降低 60% 80%，大幅减少电池包仓储、运输阶段自身耗电，避免保护芯片静态功耗放空电芯，充分保障电池存储容量，延长产品存放寿命，改善终端产品货架期表现。 全引脚断线检测  内置 OWP 断线检测功能，实时监控每一路电芯采样线路状态。一旦电芯采样线出现断线异常，芯片将立刻关断充电回路，消除断线带来的过充安全隐患，提升电池包全生命周期运行可靠性。 灵活拓扑与级联拓展 单芯片可通过引脚短接配置，灵活实现 2S/3S/4S/5S 多串应用；两颗芯片级联即可实现 6 - 10 串高压电池模组方案。无需选用高成本高串数专用保护 IC，减少物料 SKU，简化客户库存管理，平衡产品性能与整体成本。 芯片支持 N/P 型 MOS 驱动，可驱动高低边 MOS 管或者熔断保险丝实现充电主回路切断；同时内置产线极速测试模式，有效缩短量产产线测试时序，提升生产测试效率。 优异硬件可靠性  芯片最高耐压 36V，具备优秀的抗浪涌能力；提供 MSOP 8L、DFN3×4 8L 多种封装选型；同时支持 Active High / Active Low 及开漏输出逻辑，可根据客户系统需求做参数定制。工业级工作温度覆盖-40℃~+85℃，适配各类严苛工业工作环境。 产品交付与技术支持 ERB2350/1 现已推出多款标准料号，覆盖不同过充阈值、延时时间、输出逻辑；同时支持电压阈值、延时、输出逻辑等维度定制化服务。 随着锂电安规要求不断提高，硬件二级兜底保护越来越成为电池设计的重要选型。至此，禹创半导体已经同时拥有 ERB2140C/D 一级保护芯片、ERB2350/1 二级保护芯片完整产品方案，客户既可以单独选用一级保护，也可采用 “一级 + 二级” 双保险架构，进一步提升电池系统安全等级。禹创半导体提供完整应用参考电路，专业 FAE 团队可为客户提供方案评估、硬件调试、量产导入的全流程技术支持。如需样品、规格书欢迎联系我们。  

提供显示与电源全面性的解决方案

禹创半导体是一家集成电路设计的半导体技术公司, 拥有独立自主的知识产权, 专注于芯片研发、设计、制造、测试与销售, 提供客户可靠及全面性的解决方案。

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