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我们的产品应用于工业、汽车、消费类电子及智能家居等市场, 致力于设计、制造、测试与销售、

显示屏驱动芯片、电源管理芯片及马达驱动芯片。

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禹创半导体, 致力于提供最佳的IC解决方案。

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新品｜禹创半导体 ERB2350/1 系列：2-5 串锂电二级保护芯片
2026-09-09

新品｜禹创半导体 ERB2350/1 系列：2-5 串锂电二级保护芯片

禹创半导体再推锂电 BMS 保护新品 ——ERB2350/1 系列 2-5 串锂电池二级保护芯片。继 9 月 4 日推出 ERB2140C/D 系列 3 4 串锂电一级保护芯片之后，禹创半导体进一步完善锂电安全保护产品矩阵。ERB2350/1 作为 BMS 一级保护之外独立的硬件二级安全防线，有效解决多串锂电池过充、采样断线等安全隐患，面向电动工具、笔记本配套电池、UPS 备用电源、轻型电动车等市场，提供高可靠硬件安规保护方案。 随着锂电设备能量密度持续提升，仅依靠主保护芯片，依然存在器件失效引发过充起火的风险，硬件二级保护已经成为高可靠性锂电系统的重要一环。ERB2350/1 作为独立二级保护器件，当主保护发生失效时，可快速切断充电回路，筑牢电池安全的第二道防火墙。单颗芯片原生支持 2-5 串锂电应用，两颗芯片级联搭配简单三极管电平转换电路，最高可拓展至 20串高压电池包，兼顾方案灵活性与 BOM 成本优势。 核心产品优势 高精度过充检测  芯片常温过充检测精度高达 ±25mV，全温区精度可达 ±40mV；过充电压阈值覆盖 3.7V 4.6V，适配三元锂、锂聚合物等多种电芯。产品支持 1s、2s、4s、6s 多档保护延时配置，内置 20ms 噪声重置滤波机制；当出现瞬时电压扰动时，系统会自动重置保护计时，在保障保护响应速度的同时，有效规避电压突波带来的误触发问题，提升系统抗干扰能力。 4μA 超低静态功耗 芯片典型静态电流仅 4μA，最大 7μA。对比市面传统二次保护方案，功耗可降低 60% 80%，大幅减少电池包仓储、运输阶段自身耗电，避免保护芯片静态功耗放空电芯，充分保障电池存储容量，延长产品存放寿命，改善终端产品货架期表现。 全引脚断线检测  内置 OWP 断线检测功能，实时监控每一路电芯采样线路状态。一旦电芯采样线出现断线异常，芯片将立刻关断充电回路，消除断线带来的过充安全隐患，提升电池包全生命周期运行可靠性。 灵活拓扑与级联拓展 单芯片可通过引脚短接配置，灵活实现 2S/3S/4S/5S 多串应用；两颗芯片级联即可实现 6 - 10 串高压电池模组方案。无需选用高成本高串数专用保护 IC，减少物料 SKU，简化客户库存管理，平衡产品性能与整体成本。 芯片支持 N/P 型 MOS 驱动，可驱动高低边 MOS 管或者熔断保险丝实现充电主回路切断；同时内置产线极速测试模式，有效缩短量产产线测试时序，提升生产测试效率。 优异硬件可靠性  芯片最高耐压 36V，具备优秀的抗浪涌能力；提供 MSOP 8L、DFN3×4 8L 多种封装选型；同时支持 Active High / Active Low 及开漏输出逻辑，可根据客户系统需求做参数定制。工业级工作温度覆盖-40℃~+85℃，适配各类严苛工业工作环境。 产品交付与技术支持 ERB2350/1 现已推出多款标准料号，覆盖不同过充阈值、延时时间、输出逻辑；同时支持电压阈值、延时、输出逻辑等维度定制化服务。 随着锂电安规要求不断提高，硬件二级兜底保护越来越成为电池设计的重要选型。至此，禹创半导体已经同时拥有 ERB2140C/D 一级保护芯片、ERB2350/1 二级保护芯片完整产品方案，客户既可以单独选用一级保护，也可采用 “一级 + 二级” 双保险架构，进一步提升电池系统安全等级。禹创半导体提供完整应用参考电路，专业 FAE 团队可为客户提供方案评估、硬件调试、量产导入的全流程技术支持。如需样品、规格书欢迎联系我们。  
新品｜禹创 ERB2140C/D：3 4 串锂电高集成保护芯片，分时均衡来袭
2026-09-07

新品｜禹创 ERB2140C/D：3 4 串锂电高集成保护芯片，分时均衡来袭

禹创半导体正式推出 ERB2140C/D 系列高度集成 3~4 串锂离子 / 锂聚合物电池保护芯片，面向无线吸尘器、智能扫地机器人、洗地机、电动自行车、便携储能电源及基站备用电池组等多元应用场景。该系列芯片集成高精度电压检测、独立充放电温控、分时均衡技术与超低休眠功耗等核心能力，为锂电 BMS 方案提供高性价比国产选择。 当前无线吸尘器、洗地机、电动自行车、便携储能设备快速普及，电池包设计普遍面临两大痛点：一是出厂运输及长期仓储过程中自耗电过高导致电芯亏电甚至永久损坏；二是高低温环境适应性不足，影响极端工况下的可靠性。   一款芯片，覆盖两大锂电体系 ERB2140C/D 系列针对上述痛点定向优化。C 型适配三元锂 / 锂聚合物，D 型适配磷酸铁锂 / 锂聚合物，一款产品覆盖两大主流锂电体系，显著缩短客户开发周期。   四大核心技术优势 高精度双体系电压检测 常温过充检测精度达 ±25mV，过放检测精度达 ±30mV，精准监控每节电芯电压，有效规避过充析锂与过放不可逆损伤。 独立充放电温控调节 充放电温 度阈值通过外部 NTC 及电阻独立配置，充电过温 / 低温、放电过温 / 低温两套参数互不干扰，灵活适配严寒、高温等各类工况。 SEL 引脚灵活切换串数 简单配置即可完成 3 串 / 4 串切换，并可直驱外置 N 型充电与放电 MOSFET，无需额外驱动电路，大幅降低 BOM 成本。 超低休眠功耗 常温正常工作电流 15µA，电芯进入过放状态后自动切换至 5µA 超低休眠模式，有效解决仓储运输阶段自耗电过大导致的电芯亏电损坏难题，延长终端产品货架期。   智能交替分时均衡技术 在四大核心优势之上，ERB2140C/D 还搭载了创新的分时均衡技术。 芯片采用 24ms 周期对 1、3 通道与 2、4 通道进行分时切换均衡，从根本上规避相邻通道 MOSFET 误导通风险。 内置 MOS 均衡支持 500Ω~2kΩ，也可外接三极管实现大电流主动式均衡。 内置 8 秒周期电芯断线检测，采样线路异常即刻关断充放电回路。 全方位充放电安全防护 放电端 过放电保护：精确监控单节电芯，低压即刻关断 DO。 三级过流保护：放电过流 1、放电过流 2 及短路快速响应。 负载锁定：过流或过温后锁定放电，移除负载自动恢复。 充电端 过充保护延时具备重置功能，抗瞬态干扰。 充电过流保护：检测充电回路异常电流并及时切断。 部分型号支持 0V 激活充电，可唤醒完全自放电的电池。   硬件封装与技术支持 芯片采用 SSOP-16L 紧凑封装，支持 -40℃ ~ +85℃ 工业级温度范围，ESD 防护等级达 HBM 4KV / CDM 1KV。禹创半导体可提供 3 串 / 4 串同口、异口参考设计与外部扩流均衡方案，并配备专业 FAE 团队支持电路调试、参数定制及量产导入。 如需样品、规格书或参考设计，欢迎联系我们。   下期预告：ER2350/1系列二级保护芯片即将发布    
从电到光，我们重新定义“驱动”
2026-08-12

从电到光，我们重新定义“驱动”

半年前，当CPO尚处于规模化量产前夜，我们做了一件事——宣布全面进军CPO。 半年后，英伟达Spectrum-X CPO交换机已向合作伙伴出货，博通51.2T Bailly CPO交换机持续小量量产。CPO从概念验证正式迈入商业化量产阶段。 回望那个决定，并非一时冲动。这不仅是顺应AI算力基础设施代际更迭的战略选择，更是将我们在显示驱动与电源管理领域的深厚积累，转化为下一代光电集成核心竞争力的关键一跃。 作为一家以显示驱动和电源管理起家的企业，我们进军CPO绝非盲目跨界，而是基于底层技术的同源性： 电源管理的核心卡位： CPO模块将光引擎与交换芯片高密度集成，对局部供电的稳定性、瞬态响应及能效提出了极致要求。我们在电源管理芯片（PMIC）领域的深厚积累，正在转化为CPO光引擎所需的高密度供电模组与激光器驱动芯片（LDD），为光引擎提供高精度、低噪声的定制化供电方案。 精密驱动的协同效应：我们在显示驱动领域积累的精密信号控制与封装工艺，与CPO光引擎中对激光器、调制器的精密驱动需求高度契合。这一能力正延伸至光接收端的跨阻放大器（TIA）和光调制器驱动芯片等关键环节，覆盖光信号的发射与接收全链路。 拥抱下一代技术演进：除了主流的硅光路线，我们也在积极评估Micro LED光通信等新兴技术路径。这些新技术对驱动和电源提出了全新要求，恰恰是我们发挥显示驱动与电源管理双重基因优势的绝佳战场。 2026年是CPO的量产元年，也是我们在光电融合赛道上的起跑之年。依托Micro LED器件驱动、光电校准、巨量转移缺陷补偿等核心技术积累，我们正将显示驱动与电源管理的双重基因优势，延伸至面向AI数据中心的Micro LED高速光互连领域。 目前，公司已累计获得70余项专利，芯片总出货超2亿颗，服务全球客户超100家。这些数字背后，是我们在显示驱动与电源管理领域从研发到量产、从验证到交付的完整能力闭环。正是这份能力，支撑我们敢于在CPO尚处规模化量产前夜时，做出全面进军CPO的战略决策。 面向未来，我们将继续秉持 “可验证、可量产、可交付” 的核心原则，将电源与驱动的“老本行”做到极致，持续加码研发投入，联动产业链上下游伙伴，共同构建繁荣健康的半导体生态系统，为CPO生态贡献独特价值。 从屏幕到光引擎，从Micro LED到CPO——光电融合的星辰大海，我们已在船上。  
从 Micro LED 到 CPO：禹创半导体打造下一代光电集成关键平台
2026-08-05

从 Micro LED 到 CPO：禹创半导体打造下一代光电集成关键平台

锁定800G／1.6T升级浪潮，以「可验证、可量产、可交付」加速AI算力中心光互连落地。 禹创半导体今日宣布：将以现有Micro LED 技术平台与量产导入经验为基础，正式跨入CPO（Co-Packaged Optics，共同封装光学）领域，打造面向AI算力中心、数据中心与高速交换架构的下一代光电整合关键平台，协助产业解决全球AI基础设施竞争中最关键的系统瓶颈之一——在功耗与散热压力持续升高的情况下，仍能实现海量数据的高效率传输与可扩展互连。 图1：架构示意图   三大亮点：定义下一代互联标准 对准800G／1.6T升级窗口：响应AI数据中心带宽倍增与互连能耗压力，光互连成为下一代平台刚需。 Micro LED可量产系统工程能力可直接迁移：高密度I/O、封装整合、热管理、制程窗口、可靠度验证与测试体系，匹配 CPO 核心挑战。  国际深度共研合作加速产品化：co-spec／co-validation／co-design 与供应链长期 alignment，建立更高进入门槛与交付确定性。   产业背景：铜缆电互连到极限 随着「算力即国力」与主权AI成为国家级战略重点，全球正加速投入AI计算基础设施建设，网络带宽需求几乎以倍数速度成长，从400G快速迈向800G、1.6T乃至更高。传统缆电互连在带宽密度、传输距离、功耗与散热方面存在不可逾越的物理限制，已成为系统扩展性与能效提升的核心瓶颈；在高端GPU单芯片功耗持续攀升的趋势下，互连能耗与热负载问题更加突出，光互连不再是选项，而是基础设施。   图2：AI 算力中心组网架构（来源：《光学学报》, 2025, Fig.10）   架构趋势：硅光子 + CPO 成为必然演进路线 产业普遍认为硅光子（Silicon Photonics）与CPO是下一代架构演进方向。透过将光引擎更靠近甚至直接与计算／交换芯片整合，CPO可显著降低互连功耗损失、热负载与系统复杂度，提升带宽密度与整体能效。   禹创策略：以「可量产系统工程」切入 CPO，缩短导入周期、提升交付确定性 在Micro LED领域长期累积的能力，核心不仅是芯片设计，更涵盖 高密度 I/O、封装整合、热管理、制程窗口控制、可靠度验证与测试体系建置等「可量产系统工程」。上述能力与 CPO 的关键挑战高度重迭，使禹创得以把既有方法论迁移到高速光互连架构，缩短从工程样品到商用导入的周期，并提升交付确定性。 禹创半导体表示：「我们以『可验证、可量产、可交付』为CPO布局的核心原则，透过系统级整合与全球伙伴协同，加速下一代高速光电整合平台的产品化与落地部署，建立长期竞争力。」   系统级平台布局：电子IC、光子IC、3D封装、CPO架构与热管理全覆盖 在技术路线上，禹创半导体采取系统级硅光子布局，全面覆盖电子IC、光子 IC、先进3D封装、CPO架构及热管理技术，以高度整合的平台方式提供可持续扩展的技术路线：既能支持当前多 Terabit数据传输需求，也可演进至未来每秒百Terabit以上的规模，对应AI基础设施长周期、深层次的结构性变革。 图3：EIC、PIC 及 3D 封装的系统级平台布局（来源：ASE官方博客）   生态合作：co-spec／co-validation／co-design，供应链 long-term alignment 在生态合作层面，CPO不是单打独斗的游戏，通过与国外伙伴的共同定义规格（co-spec）、协同验证（co-validation）、共同迭代设计（co-design / co-optimization）及供应链节点的长期配合（long-term alignment）。此合作模式将有助于在关键料件、制程能力与验证体系上形成更高的进入门槛，并加速产品化与商用落地。   延伸场景：从超大型算力中心到边缘AI 除超大规模数据中心外，该技术体系亦正快速渗透至边缘AI场景，包括智能医疗、机器人、自动化系统与智能物联网等，同样对能效、带宽密度与系统集成提出更高要求。从超大型算力中心的“主动脉”，到边缘AI应用的“毛细血管”，数据的流动效率决定了智能的进化速度。禹创半导体，正致力于成为下一代AI基础设施中，那个不可或缺的“连结者”。   关于禹创半导体 禹创半导体长期深耕Micro LED与先进封装量产导入，具备高密度I/O、系统整合、热管理、可靠度验证与测试体系建置等系统工程能力；并以此为基础跨入CPO与硅光子高速互连领域，打造面向AI算力中心的新一代光电整合平台。   媒体联系： 公关部门联系电话：0755-26671807 sales邮箱：sales@erised-semi.com 官网链接：https:/www.erised-semi.com        
新品｜禹创半导体 ERB2350/1 系列：2-5 串锂电二级保护芯片 新闻 丨 2026-09-09 丨
禹创半导体再推锂电 BMS 保护新品 ——ERB2350/1 系列 2-5 串锂电池二级保护芯片。继 9 月 4 日推出 ERB2140C/D 系列 3 4 串锂电一级保护芯片之后，禹创半导体进一步完善锂电安全保护产品矩阵。ERB2350/1 作为 BMS 一级保护之外独立的硬件二级安全防线，有效解决多串锂电池过充、采样断线等安全隐患，面向电动工具、笔记本配套电池、UPS 备用电源、轻型电动车等市场，提供高可靠硬件安规保护方案。 随着锂电设备能量密度持续提升，仅依靠主保护芯片，依然存在器件失效引发过充起火的风险，硬件二级保护已经成为高可靠性锂电系统的重要一环。ERB2350/1 作为独立二级保护器件，当主保护发生失效时，可快速切断充电回路，筑牢电池安全的第二道防火墙。单颗芯片原生支持 2-5 串锂电应用，两颗芯片级联搭配简单三极管电平转换电路，最高可拓展至 20串高压电池包，兼顾方案灵活性与 BOM 成本优势。 核心产品优势 高精度过充检测  芯片常温过充检测精度高达 ±25mV，全温区精度可达 ±40mV；过充电压阈值覆盖 3.7V 4.6V，适配三元锂、锂聚合物等多种电芯。产品支持 1s、2s、4s、6s 多档保护延时配置，内置 20ms 噪声重置滤波机制；当出现瞬时电压扰动时，系统会自动重置保护计时，在保障保护响应速度的同时，有效规避电压突波带来的误触发问题，提升系统抗干扰能力。 4μA 超低静态功耗 芯片典型静态电流仅 4μA，最大 7μA。对比市面传统二次保护方案，功耗可降低 60% 80%，大幅减少电池包仓储、运输阶段自身耗电，避免保护芯片静态功耗放空电芯，充分保障电池存储容量，延长产品存放寿命，改善终端产品货架期表现。 全引脚断线检测  内置 OWP 断线检测功能，实时监控每一路电芯采样线路状态。一旦电芯采样线出现断线异常，芯片将立刻关断充电回路，消除断线带来的过充安全隐患，提升电池包全生命周期运行可靠性。 灵活拓扑与级联拓展 单芯片可通过引脚短接配置，灵活实现 2S/3S/4S/5S 多串应用；两颗芯片级联即可实现 6 - 10 串高压电池模组方案。无需选用高成本高串数专用保护 IC，减少物料 SKU，简化客户库存管理，平衡产品性能与整体成本。 芯片支持 N/P 型 MOS 驱动，可驱动高低边 MOS 管或者熔断保险丝实现充电主回路切断；同时内置产线极速测试模式，有效缩短量产产线测试时序，提升生产测试效率。 优异硬件可靠性  芯片最高耐压 36V，具备优秀的抗浪涌能力；提供 MSOP 8L、DFN3×4 8L 多种封装选型；同时支持 Active High / Active Low 及开漏输出逻辑，可根据客户系统需求做参数定制。工业级工作温度覆盖-40℃~+85℃，适配各类严苛工业工作环境。 产品交付与技术支持 ERB2350/1 现已推出多款标准料号，覆盖不同过充阈值、延时时间、输出逻辑；同时支持电压阈值、延时、输出逻辑等维度定制化服务。 随着锂电安规要求不断提高，硬件二级兜底保护越来越成为电池设计的重要选型。至此，禹创半导体已经同时拥有 ERB2140C/D 一级保护芯片、ERB2350/1 二级保护芯片完整产品方案，客户既可以单独选用一级保护，也可采用 “一级 + 二级” 双保险架构，进一步提升电池系统安全等级。禹创半导体提供完整应用参考电路，专业 FAE 团队可为客户提供方案评估、硬件调试、量产导入的全流程技术支持。如需样品、规格书欢迎联系我们。  

提供显示与电源全面性的解决方案

禹创半导体是一家集成电路设计的半导体技术公司, 拥有独立自主的知识产权, 专注于芯片研发、设计、制造、测试与销售, 提供客户可靠及全面性的解决方案。

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